[发明专利]跨导增强电路单元及晶体振荡器电路

摘要

一种跨导增强电路单元包括五个源极和衬底接地的NMOS管及源极和衬底接电源的PMOS管；第一NMOS管和第一PMOS管栅极相连构成输入端，漏极和第二NMOS管漏极相连；第二NMOS管栅极和漏极相连且接第三NMOS管栅极，并通过电阻连接第二PMOS管漏极；第三NMOS管漏极和第四PMOS管漏极相连；第四NMOS管栅极和漏极相连且接第五NMOS管栅极及第三PMOS管漏极；第五NMOS管漏极和第五PMOS管漏极相连构成输出端；第一PMOS管漏极接第二PMOS管漏极；第二PMOS管栅极和漏极相连且接第三PMOS管栅极；第四PMOS管栅极和漏极相连且接第五PMOS管栅极。另外提供晶体振荡器电路。

主权项

1.一种跨导增强电路单元，其特征在于，所述跨导增强电路单元包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管及电阻；所述第一NMOS管、所述第二NMOS管、所述第三NMOS管、所述第四NMOS管及所述第五NMOS管的源极和衬底均接地；所述第一PMOS管、所述第二PMOS管、所述第三PMOS管、所述第四PMOS管及所述第五PMOS管的源极和衬底均接电源；所述第一NMOS管的栅极和所述第一PMOS管的栅极相连构成所述跨导增强电路单元的输入端，所述第一NMOS管的漏极和所述第二NMOS管的漏极相连；所述第二NMOS管的栅极和漏极相连且连接于所述第三NMOS管的栅极，并通过所述电阻连接于所述第二PMOS管的漏极；所述第三NMOS管的漏极和所述第四PMOS管的漏极相连；所述第四NMOS管的栅极和漏极相连且连接于所述第五NMOS管的栅极及所述第三PMOS管的漏极；所述第五NMOS管的漏极和所述第五PMOS管的漏极相连构成所述跨导增强电路单元的输出端；所述第一PMOS管的漏极连接于所述第二PMOS管的漏极；所述第二PMOS管的栅极和漏极相连，且连接于所述第三PMOS管的栅极；所述第四PMOS管的栅极和漏极相连，且连接于所述第五PMOS管的栅极。