[发明专利]深沟槽隔离的LED发光单元的电极桥接方法

摘要

本发明针对具有深沟槽隔离的多个发光单元的大尺寸LED芯片，提出深沟槽隔离的LED发光单元的电极桥接方法，包括如下步骤：沉积第一层钝化层；旋涂液态绝缘材料，填满发光单元之间的隔离沟槽，并在芯片表面形成平整薄膜；液态绝缘材料高温固化；刻蚀绝缘材料薄膜，使得发光单元表面的钝化层暴露，而隔离沟槽处绝缘材料的表面与钝化层的表面齐平；沉积第二层钝化层，将隔离沟槽处的绝缘材料封闭在钝化层内部；刻蚀钝化层，制备电极槽；沉积金属，并采用剥离技术，制备电极，同时在钝化层上表面制备电极连接桥。本发明提高了电极桥接的良率，适用于横截面为矩形、正梯形或倒梯形的发光单元结构，特别适用于高深宽比的隔离沟槽。

主权项

深沟槽隔离的LED发光单元的电极桥接方法，适用于具有深沟槽隔离的多个发光单元的大尺寸LED芯片，其特征在于包括如下步骤：（A）在发光单元的上表面、隔离沟槽的侧壁和底部沉积第一层钝化层；（B）旋涂液态绝缘材料，发光单元之间的隔离沟槽被液态绝缘材料填满，并在整个芯片表面形成平整的绝缘材料薄膜；（C）在高温下，液态绝缘材料转变为固态；（D）干法刻蚀或湿法腐蚀绝缘材料薄膜，使得发光单元表面上方的第一层钝化层暴露，而隔离沟槽处绝缘材料的表面与发光单元表面上方的第一层钝化层的表面齐平；（E）沉积第二层钝化层，将隔离沟槽处的绝缘材料封闭在第一层钝化层和第二层钝化层之间；（F）对于多个发光单元串联或并联的绝缘型衬底大尺寸LED芯片，在p型电极和n型电极所在的位置上方，采用光刻工艺并干法刻蚀或湿法腐蚀第一层钝化层和第二层钝化层，制备容纳p型电极和n型电极的电极槽；对于多个发光单元并联的导电型衬底大尺寸LED芯片，在p型电极所在的位置上方，采用光刻工艺并干法刻蚀或湿法腐蚀第一层钝化层和第二层钝化层，制备容纳p型电极的电极槽；（G）沉积金属，并采用剥离技术，在电极槽内制备电极，同时在第二层钝化层上表面制备电极连接桥。