[发明专利]一种高纯度三异丙基硅烷的合成方法有效
| 申请号： | 201310131231.1 | 申请日： | 2013-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN103204869A | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 魏开举;李辉宁;张扬;李明成;张才山 | 申请（专利权）人： | 扬州三友合成化工有限公司 |
| 主分类号： | C07F7/08 | 分类号： | C07F7/08 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225600 江苏省扬州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种高纯度三异丙基硅烷的合成方法，涉及一种化学方法制备三异丙基硅烷的工艺技术领域。先将金属镁和2-氯丙烷反应合成异丙基氯化镁，再在弱极性溶剂存在的条件下，以异丙基氯化镁和三氯氢硅为原料，于低温条件下制备三异丙基硅烷。本发明以两步合成法生成三异丙基硅烷，在制备三异丙基硅烷时，使用了不影响溶剂溶解性的弱极性溶剂，改变了溶剂的极性，以阻止副反应的发生，极大地减少反应过程中出现的难以分离的杂质，最终通过简单的蒸馏就可以得到高纯度的三异丙基硅烷，产品的纯度可达到99%。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纯度 丙基 硅烷 合成 方法 | ||
【主权项】：
一种高纯度三异丙基硅烷的合成方法，其特征在于包括以下步骤：1）在溶剂存在下，将金属镁和2‑氯丙烷反应合成异丙基氯化镁；2）在弱极性溶剂存在的条件下，以异丙基氯化镁和三氯氢硅为原料，于低温条件下制备三异丙基硅烷。
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