[发明专利]气体放电复合介质保护层和包括其的等离子显示屏无效
申请号: | 201310131280.5 | 申请日: | 2013-04-16 |
公开(公告)号: | CN103236387A | 公开(公告)日: | 2013-08-07 |
发明(设计)人: | 严群;山田新二;邢芳丽;卢正险;陈立国;唐翠珍;薛道齐;刘君民;刘辉 | 申请(专利权)人: | 四川虹欧显示器件有限公司 |
主分类号: | H01J11/40 | 分类号: | H01J11/40;H01J11/38 |
代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人: | 詹永斌 |
地址: | 621000 四川省绵阳市*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种气体放电复合介质保护层和包括其的等离子显示屏。本发明属于气体放电器件领域,特别是一种气体放电介质保护层和包括其的等离子显示屏。该气体放电复合介质保护层包含基础层(2)和形成在基础层(2)上的电子发射层(3)。本发明的有益效果在于:所述基础层(2)是以MgO为主体掺杂Ca形成的CMO膜,其中的CaO所占质量百分比为8%-20%能避免形成严重放电不均匀带来的斑纹问题,所述电子发射层(3)在基础层(2)表面的覆盖率为10%-50%,可避免气体放电器件放电电压升高的问题。包括气体放电复合介质保护层的等离子显示屏具有较低的电压、较高的光效,以及更优的放电均匀性。 | ||
搜索关键词: | 气体 放电 复合 介质 保护层 包括 等离子 显示屏 | ||
【主权项】:
一种气体放电复合介质保护层,其特征在于:包含基础层(2)和形成在基础层(2)上的电子发射层(3),所述的基础层(2)由以MgO为主体,且掺杂有其它元素的膜组成,掺杂元素为Ca、Sr、Ba、Ce、Zn中的一种或多种,掺杂元素的摩尔百分含量为3%‑50%。
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