[发明专利]一种DR及CT成像的曝光参数快速确定方法

摘要

本发明提供了一种DR及CT成像的曝光参数快速确定方法，首先获取DR/CT成像系统的曝光参数模型，然后根据所得曝光参数模型快速获取曝光参数。本发明提通过简便的步骤即可获取DR/CT成像系统的曝光参数模型，而且该模型长期有效，其建立所花费的工作量基本可以忽略不计。根据获取的DR/CT成像系统曝光参数模型，可以自动快速获取曝光参数，使DR/CT图像的信噪比和对比度达到最优，克服现有技术获取曝光参数需要很多人工交互和相关专业技术经验的问题，从而相对延长DR/CT成像系统的使用寿命。

主权项

一种DR及CT成像的曝光参数快速确定方法，其特征在于包括下述步骤：(1)设DR/CT成像系统中探测器暗场校正后可输出的最小均值为GMIN，最大均值为GMAX，计算探测器实际可用的安全输出范围[Gmin,Gmax]，Gmin＝GMIN+α1，Gmax＝GMAX‑α1，α1＝β1(GMAX‑GMIN)，β1取0.02～0.10；(2)设DR/CT成像系统中射线源可输出的最低电压为VMIN，最高电压为VMAX，计算射线源实际可用的安全电压范围[Vmin,Vmax]，Vmin＝(1+α2)VMIN，Vmax＝(1‑α2)VMAX，α2取0.05～0.20；(3)曝光量mAs是射线源电流mA与探测器曝光时间s的乘积，在[Vmin,Vmax]范围内取等差排列的电压v，并在[Gmin,Gmax]范围内取等差排列的输出g，对每一个v，获取每一个g下的mAs，得到曝光参数表T；或者将[Vmin,Vmax]分为低电压范围[Vmin,Vd)和高电压范围[Vd,Vmax]，获取[Vmin,Vd)范围内曝光参数表T1的方法如上所述，获取[Vd,Vmax]范围内的曝光参数表T2之前需先在射线源出口前附加过滤板；(4)构造曝光参数模型g＝mAs·(av2+bv+c)，其中a、b、c为系数，该模型拟合T得GM，或分别拟合T1、T2得GM1、GM2，所得结果即为该DR/CT成像系统的曝光参数模型；(5)对于DR成像，将零件感兴趣方位放置于射线源射线照射方向；对于CT成像，将零件的最大厚度放置于射线源射线照射方向；(6)根据穿透性原则设置零件投影区域的最小输出值gmin，gmin＞Gmin；(7)对于变焦点尺寸射线源，设置空气投影区域的最大输出值gmax＝ηgmin，η取5～10；对于其它情况，设置gmax＝Gmax；(8)选择DR/CT成像系统的曝光参数模型GM，或GM1和GM2；(9)对于GM，在[Vmin,Vmax]中按折半查找法获取优化的曝光参数，即v及相应的mAs，方法为：设VM为查找区间[VL,VR]的中值，对于第1次查找，分别将VL、VM、VR及gmax代入GM，计算得到相应的mAsL、mAsM、mAsR，以这3组曝光参数进行曝光，得到各自零件投影区域的最小输出值gL、gM、gR，其余查找时，若当前区间的VR‑VL≤S，则取该区间的VM及其mAsM为优化的曝光参数，否则取该 区间的VM及其mAsM曝光得到gM；若(1‑k)gmin≤gL、gM或gR≤(1+k)gmin，则其对应的v和mAs即为优化的曝光参数；否则，若gL＜gmin＜gM则在(VL,VM)中继续折半查找，若gM＜gmin＜gR则在(VM,VR)中继续折半查找；否则，该零件超出该DR/CT成像系统的优化曝光参数范围；区间阈值S取10～20，偏差系数k取0.05～0.15；对于GM1和GM2，在第1次查找时需以Vd替代VM，并以v的大小确定用GM1或GM2计算得到相应的mAs，其余操作方法与GM相同。