[发明专利]一种SRAM器件单粒子闭锁效应测试系统及方法

摘要

本发明涉及一种SRAM器件单粒子闭锁效应测试系统及方法，包括上位计算机、下位控制器、SEU测试电路、电流测试电路、闭锁保护电路及电源模块。本发明提供了一种可以单粒子翻转截面及闭锁截面同时获取，减少了实验周期，节约实验成本、测量更为准确、高效的SRAM器件单粒子闭锁效应测试系统及方法。

主权项

一种SRAM器件单粒子闭锁效应测试系统，包括上位计算机、下位控制器、SEU测试电路、电流测试电路、闭锁保护电路及电源模块；其特征在于：所述下位控制器用于接收上位计算机的测试命令，返回当前时刻的电流值及闭锁保护次数；向电流阈值存储器中写入电流阈值；在器件产生单粒子闭锁效应时响应中断，进行闭锁次数的统计，并向SEU测试电路提供闭锁保护标志信号；读取电流测量的实际结果。所述SEU测试电路向被测器件发送SRAM控制信号及地址，并接收被测器件中的存储单元数据；所述电流测试电路包括电流保护开关、差分放大电路及模数转换电路ADC及测试电阻R；所述差分放大电路并联在测试电阻R的两端，其采集的电源电流数据经模数转换电路ADC后送入转换结果存储模块；所述闭锁保护电路包括转换结果存储模块、电流阀值存储器、比较器；所述比较器对转换结果存储模块及电流阈值存储器的存储数据进行比较，所述比较器将比较结果分别送入下位控制器作为中断信号及送入电流保护开关作为电源电压切换信号；所述电源模块依次通过电流保护开关和测试电阻R向被测器件供电，可提供器件正常工作电压及数据保持电压两类电压。