[发明专利]用于生产锭料的设备和方法有效
| 申请号： | 201310133774.7 | 申请日： | 2013-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN103572363B | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | N·斯托达德;W·冯阿蒙 | 申请（专利权）人： | 太阳世界工业美国有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人： | 吴鹏,马江立 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于硅锭的无坩埚生产的设备（1）和方法，其中使具有种晶层（7）和液体层的支架在具有竖直梯度的温度场中逐渐降下，以使液体层（32）以受控方式固化。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 生产 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于生产锭料的设备(1)，从所述锭料能够切割单晶片，所述设备包括：a.用于提供可控气氛的腔室(2)，i.其中，所述腔室(2)具有沿纵向(5)彼此间隔开的顶部(3)和底部(4)，b.用于支承种晶层(7)的支架(6)，i.其中，所述支架(6)能够相对于所述腔室(2)沿纵向(5)移动，使得固化的硅块(11)与液态原料层(32)之间的相边界(31)保持静止，c.至少一个用于控制所述腔室(2)中的给定生长容积(Vg)中的温度场的装置，i.其中，所述温度场具有沿所述纵向(5)的温度梯度，以及d.用于材料向所述种晶层(7)上的可控给送的给送设备(10)，e.其中所述至少一个用于控制所述温度场的装置包括i.布置在所述腔室(2)的顶部且在用于所述种晶层(7)的所述支架(6)上方的至少一个加热设备(8)，和ii.布置在用于所述种晶层的所述支架下方的至少一个底部冷却设备，f.其中所述加热设备(8)被设计成产生具有沿垂直于所述纵向的方向的横向温度梯度的温度场，g.其中所述横向温度梯度是可控的，h.其中所述设备适合于锭料的无坩埚生产，其中不提供用于容纳所述种晶层(7)上的液态原料的坩埚、容器或冷壁坩埚，其中通过布置在所述腔室(2)的顶部的所述至少一个加热设备(8)和所述至少一个底部冷却设备的布置和控制，所述相边界(31)能够保持平直，在至少156mm×156mm的区域上呈现小于5mm的弯曲。
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