[发明专利]双色红外探测器材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201310134037.9 | 申请日： | 2013-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN103208565A | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 刘铭;巩锋;程鹏;王经纬;邢伟荣 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0304 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 张蕾 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双色红外探测器材料及其制备方法，包括：对锑化铟晶体进行预处理，所述锑化铟为InSb，得到外延级的InSb衬底；根据响应波长范围设定铟铝锑中的Al组分的参数，所述铟铝锑为InAlSb，并在外延级的InSb衬底上依次进行InAlSb的下电极层、吸收层、势垒层、中电极层、吸收层、上电极层的生长，其中，生长温度为400-450℃，Sb/(In+Al)束流比设定为1.2-10。本发明的双色红外探测器材料能够实现对两种不同的波长范围同时进行探测，大大减少了环境对双色红外探测器的探测限制，并提高了探测效果。 | ||
| 搜索关键词： | 红外探测器 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种双色红外探测器材料的制备方法，其特征在于，包括：对锑化铟晶体进行预处理，所述锑化铟为InSb，得到外延级的InSb衬底；根据响应波长设定铟铝锑中的Al组分的参数，所述铟铝锑为InAlSb，并在外延级的InSb衬底上依次进行InAlSb的下电极层、吸收层、势垒层、中电极层、吸收层和上电极层的生长，其中，生长温度为400‑450℃，Sb/(In+Al)束流比设定为1.2‑10。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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