[发明专利]P型硅衬底异质结电池

摘要

本发明公开了一种P型硅衬底异质结电池，它包括一P型晶体硅衬底层、一本征非晶硅层、一N型非晶硅层、一P型非晶硅掺杂层、一第一透明导电层、一上电极层、一本征非晶硅锗钝化层、一第二透明导电层和一背电极层，P型晶体硅衬底层具有一正面和一背面；本征非晶硅层沉积在P型晶体硅衬底层的正面上；N型非晶硅层沉积在本征非晶硅层的上表面上；第一透明导电层位于N型非晶硅层的上表面上；本征非晶硅锗钝化层沉积在P型晶体硅衬底层的背面上；P型非晶硅掺杂层沉积在本征非晶硅锗钝化层的下表面上；第二透明导电层位于P型非晶硅掺杂层的下表面上；背电极层位于第二透明导电层的下表面上并通过第二透明导电层与P型非晶硅掺杂层电性连接。本发明可以增加空穴在衬底背面的跃迁几率，增加载流子的收集利用，增加短路电流，提升电池的转换效率。

主权项

一种P型硅衬底异质结电池，其特征在于，它包括：一P型晶体硅衬底层（1），其具有一正面和一背面；一本征非晶硅层（2），沉积在P型晶体硅衬底层（1）的正面上；一N型非晶硅层（3），沉积在本征非晶硅层（2）的上表面上；一第一透明导电层（4），位于N型非晶硅层（3）的上表面上；一上电极层（5），位于第一透明导电层（4）的上表面上并通过第一透明导电层（4）与N型非晶硅层（3）电性连接；一本征非晶硅锗钝化层（6），沉积在P型晶体硅衬底层（1）的背面上；一P型非晶硅掺杂层（7），沉积在本征非晶硅锗钝化层（6）的下表面上；一第二透明导电层（8），位于P型非晶硅掺杂层（1）的下表面上；一背电极层（9），位于第二透明导电层（8）的下表面上并通过第二透明导电层（8）与P型非晶硅掺杂层（7）电性连接。