[发明专利]纳米硫化铜钆粉体和含纳米硫化铜钆的薄膜及制备方法有效
申请号: | 201310134137.1 | 申请日: | 2013-04-16 |
公开(公告)号: | CN103214020A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 夏海平;徐磊;王冬杰;张约品 | 申请(专利权)人: | 宁波大学 |
主分类号: | C01G3/00 | 分类号: | C01G3/00;C03C17/22;B82Y30/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 315211 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了纳米硫化铜钆粉体和含纳米硫化铜钆的薄膜成分及制备方法。纳米粉体为立方尖晶石结构CuGd2S4。该粉体通过超声雾化法制得。将硫化铜/硫化钆混合溶液与硫化钠溶液进行接触反应,生成CuGd2S4。粉体经过湿磨与干磨等粉体处理,然后分散于十六烷甲基溴化铵溶液中,再与聚乙烯醇粘稠液混合,得到粘稠状液体用浸沾法涂覆洁净的玻璃与涤纶衬底表面上,制得支撑与无支撑厚膜。超声喷雾法铜钆与硫反应充分、速度快、产率高、颗粒度均匀。得到的含CuGd2S4纳米粒子的薄膜对近红外太阳光的吸收强。因此本发明是工艺简单、成本低廉、操作方便、合成效率高、可望用于太阳能热屏蔽的近红外吸收材料。 | ||
搜索关键词: | 纳米 硫化铜 钆粉体 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
纳米硫化铜钆粉体和含纳米硫化铜钆的薄膜及制备方法,其特征在于纳米粉体的分子式与组成为CuGd2S4,该纳米粒子具有强的近红外线吸收特性。
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