[发明专利]半导体器件芯片级封装结构有效
申请号: | 201310135098.7 | 申请日: | 2013-04-17 |
公开(公告)号: | CN103258805A | 公开(公告)日: | 2013-08-21 |
发明(设计)人: | 高国华;丁万春;郭飞;朱桂林 | 申请(专利权)人: | 南通富士通微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498 |
代理公司: | 北京市惠诚律师事务所 11353 | 代理人: | 雷志刚;潘士霖 |
地址: | 226006 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种半导体器件芯片级封装结构,所述封装结构包括半导体芯片,所述半导体芯片上设置有焊盘和钝化层,所述钝化层设置于半导体芯片上的焊盘以外的上表面,在焊盘和钝化层上依次设置有保护层、种子层和金属再配线层,所述金属再配线层表面开设有凹槽,所述金属再配线层上表面还设置有焊料凸点,所述焊料凸点位于凹槽以外的金属再配线层上表面上。本发明的半导体器件芯片级封装结构解决了再配线厚度大于12μm时引发的半导体芯片翘曲的问题,降低了由于半导体芯片翘曲引发的作业难度高及半导体出现断裂的风险。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 芯片级 封装 结构 | ||
【主权项】:
一种半导体器件芯片级封装结构,其特征在于,包括半导体芯片,所述半导体芯片上设置有焊盘和钝化层,所述钝化层设置于半导体芯片上的焊盘以外的上表面,在焊盘和钝化层上依次设置有保护层、种子层和金属再配线层,所述金属再配线层表面开设有凹槽,所述金属再配线层上表面还设置有焊料凸点,所述焊料凸点位于凹槽以外的金属再配线层上表面上。
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