[发明专利]一种提高铜表面功函数的生产工艺无效

专利信息
申请号: 201310135346.8 申请日: 2013-04-18
公开(公告)号: CN103276357A 公开(公告)日: 2013-09-04
发明(设计)人: 雷清泉;于庆先;郝春成 申请(专利权)人: 青岛科技大学
主分类号: C23C14/16 分类号: C23C14/16;C23C14/58
代理公司: 山东清泰律师事务所 37222 代理人: 朱兵
地址: 266061 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明提供一种提高铜表面功函数的生产工艺,包括如下步骤:铜基体预处理;离子溅射;生成外护层;本发明用纯金属铜为基体,在真空中以铬、钨等金属为靶,氩气为载气,采用离子溅射的方法,氩在电磁场作用下电离为等离子体,带正电的氩离子轰击靶材金属,溅射下的金属离子气团在基体的负电位吸引下沉积在铜基体表面;然后,将铜基体放入邻二氯苯中,紫外线照射,从邻二氯苯中分解出的氯离子与表面的金属离子发生化学反应,形成单原子层的氯化物,从而形成偶极子,阻碍金属内部电子向外逸出,降低铜表面电子的发射能力;可大幅度提高铜表面的功函数,方法工艺简单,既可用于小型电子器件的处理,又可适合大规模导线的生产。
搜索关键词: 一种 提高 表面 函数 生产工艺
【主权项】:
一种提高铜表面功函数的生产工艺,其特征在于,包括如下步骤:第一步,铜基体预处理:去除铜基体表面的污染物,放入真空中,真空度控制在10‑10‑5Pa;第二步,离子溅射:采用纯金属为靶材,靶材加负电位,电压为‑1500~‑2500V;氩气为载气,压强为10‑30Pa;铜基体加负电位,电压为‑100~‑500V;氩气电离为等离子体,带正电的氩离子轰击靶材金属,溅射下的金属离子气团在基体的负电位吸引下沉积在铜基体表面,形成薄膜;第三步,生成外护层:将完成第二步的铜基体从真空中取出,放入邻二氯苯(99.9%)中,经紫外线照射(40~250W,距离5~20厘米),从邻二氯苯中分解出的氯离子与铜基体表面的金属离子发生化学反应,形成单原子层的氯化物,即:偶极子外护层;阻碍金属内部电子向外逸出,降低铜表面电子的发射能力。
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