[发明专利]一种半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201310135962.3 | 申请日： | 2013-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN104112663A | 公开（公告）日： | 2014-10-22 |
| 发明（设计）人： | 吴海平;黄宝伟;刘鹏飞;肖秀光 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提出一种半导体结构及其形成方法，其中该方法包括：提供衬底；在衬底的背面进行掺杂；在衬底的背面形成衬垫层；在衬底的正面制作正面结构；去除衬垫层及减薄衬底，以暴露出衬底的背面；在衬底的背面制作背面结构。该方法通过预先处理扩散片衬底，然后通过外延或键合的方式增厚扩散片，制作正面结构后再去除增厚的部分，进一步制作背面结构，从而绕开了现有工艺对衬底的高要求，具有简便易行、应用范围广、灵活性好的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构形成方法，其特征在于，包括以下步骤：A.提供衬底；B.对所述衬底的背面进行掺杂；C.在所述衬底的背面形成衬垫层；D.在所述衬底的正面制作正面结构；E.去除所述衬垫层及减薄所述衬底，以暴露出所述衬底的背面；以及F.在所述衬底的背面制作背面结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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