[发明专利]一种高纯度三异丙基氯硅烷的合成方法有效
| 申请号： | 201310136166.1 | 申请日： | 2013-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN103232485A | 公开（公告）日： | 2013-08-07 |
| 发明（设计）人： | 李辉宁;魏开举;孙健;张众笑 | 申请（专利权）人： | 扬州三友合成化工有限公司 |
| 主分类号： | C07F7/12 | 分类号： | C07F7/12 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225600 江苏省扬州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种高纯度三异丙基氯硅烷的合成方法，涉及一种三异丙基氯硅烷硅烷的化学合成工艺技术领域。先将三异丙基硅烷和氧化剂反应制备三异丙基硅醇；所述氧化剂为双氧水、过氧乙酸、高铁酸钾、氯酸钾、氯酸钠、次氯酸钠或高锰酸钾其中的至少任意一种；再以三异丙基硅醇和氯化氢气体为原料，在-5～5℃的温度条件下制备三异丙基氯硅烷。本发明以三异丙基硅烷和氧化剂制备三异丙基硅醇，三异丙基硅烷可被定量氧化，没有副反应发生，收率可以达到100%；氯化过程，在低温条件下进行，只要控制氯化氢的通入量，便能有效地阻止三异丙基氯硅烷的水解，其收率会达到99%以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纯度 丙基 硅烷 合成 方法 | ||
【主权项】：
一种高纯度三异丙基氯硅烷的合成方法，其特征在于包括以下步骤：1）将三异丙基硅烷和氧化剂反应制备三异丙基硅醇；所述氧化剂为双氧水、过氧乙酸、高铁酸钾、氯酸钾、氯酸钠、次氯酸钠或高锰酸钾其中的至少任意一种；2）以三异丙基硅醇和氯化氢气体为原料，在‑5～5℃的温度条件下制备三异丙基氯硅烷。
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