[发明专利]具有凹陷栅的晶体管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种包括具有改善的掺杂特性的凹陷栅结构的晶体管及其制造方法。晶体管包括半导体衬底中的凹部，其中凹部被填充了包括杂质掺杂层和掺杂捕获物类的层的凹陷栅结构。捕获物类累积杂质并且使杂质扩散至凹陷栅结构的其它层。

主权项

一种制造晶体管的方法，包括以下步骤：在半导体衬底中形成凹部；在所述半导体衬底之上形成栅电介质层；在所述栅电介质层之上形成包括未掺杂的第一硅层和未掺杂的第三硅层的栅导电层，所述栅导电层包括作为捕获区的未掺杂的中间硅层；形成所述栅导电层之后用杂质掺杂所述栅导电层，其中所述杂质累积在所述捕获区中；刻蚀未掺杂的第一硅层、未掺杂的第三硅层以及未掺杂的中间硅层来形成凹陷栅结构；以及通过执行退火，使所述杂质扩散，其中，所述凹陷栅结构中所包括的捕获区包含捕获所述杂质的捕获物类，所述捕获物类包括碳和氮中的至少一种，其中，所述凹陷栅结构中所包括的未掺杂的第一硅层和未掺杂的中间硅层被共形地形成为未填满所述凹部，而所述凹陷栅结构中所包括的未掺杂的第三硅层被形成在未掺杂的中间硅层之上来填满所述凹部。