[发明专利]中子探测器与中子探测方法

摘要

本发明提供一种中子探测器与中子探测方法。中子探测器包括用于提供漂移电场的漂移电极、用于对入射的中子进行转换的涂硼气体电子倍增器结构、用于对中子转换后产生的原初电子进行气体放大的气体电子倍增器结构以及用于读出放大后的电子信号的读出电极；漂移电极、涂硼气体电子倍增器结构、气体电子倍增器结构和读出电极互相平行设置且顺次排列；涂硼气体电子倍增器结构采用至少一个级联的第一气体电子倍增器膜构成，且第一气体电子倍增器膜的至少一面涂有硼层。本发明的中子探测器，能够大大提高中子探测效率且计数率高，时间分辨率好，可实现更高量级的时间分辨，同时该中子探测器兼具气体探测器的优点γ抑制能力高、成本低和可大面积制作。

主权项

一种中子探测器，其特征在于，包括：用于提供漂移电场的漂移电极、用于对入射的中子进行转换的涂硼气体电子倍增器结构、用于对所述中子转换后产生的原初电子进行气体放大的气体电子倍增器结构以及用于读出放大后的电子信号的读出电极；所述漂移电极、所述涂硼气体电子倍增器结构、所述气体电子倍增器结构和所述读出电极互相平行设置，且顺次排列；所述涂硼气体电子倍增器结构采用至少一个级联的第一气体电子倍增器膜构成，且所述第一气体电子倍增器膜的至少一面涂有硼层；所述气体电子倍增器结构包括第二气体电子倍增器膜；所述中子探测器包括两个所述漂移电极、两个所述涂硼气体电子倍增器结构和两个气体电子倍增器结构；两个所述漂移电极对称分布于所述读出电极两侧，两个所述涂硼气体电子倍增器结构也对称分布于所述读出电极两侧，两个所述气体电子倍增器结构对称分布于所述读出电极两侧。