[发明专利]具有相反极性肖特基二极管场保护环的肖特基二极管

摘要

在一个一般方面中，一种设备包含金属或金属硅化物接触层，其安置于半导体衬底的n阱区上以形成主要肖特基二极管。所述设备包含所述半导体衬底的p阱保护环区，其对接所述主要肖特基二极管。所述金属硅化物接触层具有在所述半导体衬底的所述p阱保护环区上延伸的周边部分，且所述p阱保护环区具有掺杂水平，所述掺杂水平建立相对于所述金属硅化物接触层的所述周边部分的功函数差异以形成保护环肖特基二极管。所述保护环肖特基二极管与所述p阱区和所述n阱区的p-n结界面串联，且所述保护环肖特基二极管具有与所述主要肖特基二极管的极性相反的极性。

主权项

一种设备，其包括：绝缘元件，其对接硅衬底的表面区域；n阱区，其安置于所述硅衬底中；p阱保护环区，其安置于所述硅衬底中处于所述n阱区与所述绝缘元件之间；以及导电层，其安置于所述硅衬底的所述表面区域上，所述导电层具有中间部分和边缘部分，所述导电层的所述中间部分与所述硅衬底的所述n阱区形成n型整流接触，所述导电层的所述中间部分与所述n阱区形成n型肖特基二极管，所述导电层的所述边缘部分与所述p阱保护环区形成p型整流接触，所述p型整流接触对接所述n型整流接触且从所述n型整流接触延伸到所述绝缘元件，所述导电层的所述边缘部分与所述p阱保护环区形成与所述n型肖特基二极管电并联的p型保护环肖特基二极管。