[发明专利]一种基于反铁磁自旋转向现象的传感器有效
| 申请号： | 201310136977.1 | 申请日： | 2013-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN103235274A | 公开（公告）日： | 2013-08-07 |
| 发明（设计）人： | 邹吕宽;蔡建旺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 王艺 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种基于反铁磁自旋转向(spin flop)现象的传感器，由人工反铁磁多层膜组成，其中，所述人工反铁磁多层膜采用磁控溅射制备而成，其结构由下至上包括：基片、缓冲层、第一铁磁层、非磁金属层、第二铁磁层和盖帽层。本发明的传感器可以在发生spin flop时使电阻值产生迅速变化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 反铁磁 自旋 转向 现象 传感器 | ||
【主权项】：
一种基于反铁磁自旋转向(spin flop)现象的传感器，由人工反铁磁多层膜组成，其特征在于，所述人工反铁磁多层膜采用磁控溅射方法制备而成，其结构由下至上包括：基片、缓冲层、第一铁磁层、非磁金属层、第二铁磁层和盖帽层。
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