[发明专利]一种薄膜/异质结叠层太阳电池及其制造方法

摘要

本发明公开了一种薄膜\异质结叠层太阳电池及其制造方法，其特征在于：它采用双结叠层电池结构，底电池为硅异质结电池，顶电池为硅薄膜电池；晶硅电池采用n型硅片衬底作为基区，背表面沉积硅薄膜作为钝化层，并在其上沉积导电层作为背电极，正表面沉积p型掺杂硅薄膜作为发射区；硅薄膜电池沉积在硅异质结电池正表面上，沉积顺序为n型层、本征层、p型层，然后在硅薄膜电池p型层上沉积透明导电薄膜，并在其上设置前电极。本发明采用薄膜\异质结的叠层电池结构，由于硅薄膜材料禁带宽度较大，硅薄膜顶电池吸收高能量的短波光，透过顶电池的光被硅异质结底电池吸收，并可调整硅异质结厚度，以获得与顶电池匹配的电流密度。采用该结构，可拓展电池的光谱相应范围，提高电池开路电压与转换效率，同时获得较好的高温性能。

主权项

一种薄膜\异质结叠层太阳电池，其特征在于：它采用双结叠层电池结构，底电池为硅异质结电池，顶电池为硅薄膜电池；晶硅电池采用n型硅片衬底作为基区，背表面沉积硅薄膜作为钝化层，并在其上沉积导电层作为背电极，正表面沉积p型掺杂硅薄膜作为发射区；硅薄膜电池沉积在硅异质结电池正表面上，沉积顺序为n型层、本征层、p型层，然后在硅薄膜电池p型层上沉积透明导电薄膜，并在其上设置前电极。