[发明专利]铜阳极或含磷铜阳极、在半导体晶片上电镀铜的方法及粒子附着少的半导体晶片无效
| 申请号： | 201310138190.9 | 申请日： | 2008-10-06 |
| 公开（公告）号： | CN103266337A | 公开（公告）日： | 2013-08-28 |
| 发明（设计）人： | 相场玲宏;高桥祐史 | 申请（专利权）人： | JX日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C25D7/12 | 分类号： | C25D7/12;C25D3/38;C25D17/10;C22C9/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种在半导体晶片上电镀铜中使用的铜阳极或含磷铜阳极，其特征在于，铜阳极或除磷以外的含磷铜阳极的纯度为99.99重量%以上、杂质硅的含量为10重量ppm以下。本发明提供进行电镀铜时能够有效防止在被镀物特别是半导体晶片上粒子附着的电镀铜方法、电镀铜用含磷铜阳极及具有使用它们进行电镀铜而得到的粒子附着少的铜层的半导体晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 阳极 含磷铜 半导体 晶片 镀铜 方法 粒子 附着 | ||
【主权项】：
一种半导体晶片，其特征在于，具有使用含磷铜阳极在半导体晶片上进行电镀铜而得到的铜层，所述含磷铜阳极为在半导体晶片上电镀铜中使用的含磷铜阳极，所述含磷铜阳极的除磷以外的纯度为99.99重量%以上且99.997重量%以下，杂质硅的含量为10重量ppm以下。
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