[发明专利]一种改善闪存存储器外围电路区栅氧化层可靠性的方法

摘要

本发明提供一种改善闪存存储器外围电路区栅氧化层可靠性的方法，所述方法将外围电路区半导体衬底顶部的含氮区域进行氧化处理，将其转化为氧化层并去除该氧化层，从而暴露出外围电路区未含氮的半导体衬底表面并在该表面上生长栅氧化层，使本发明在后续外围电路区中制作MOS器件时，由于半导体衬底顶部含氮区域的去除，降低了在半导体衬底表面栅氧化层的生长难度，尤其提高了位于隔离结构拐角处的半导体衬底上栅氧化层的生长能力，使生长栅氧化层的完整性和均匀性得以增加，提高了MOS器件栅氧化层的可靠性；另外，本发明的氧化处理在室温或较低温度进行，降低了现有技术的热预算，避免器件掺杂轮廓发生偏移，同时使本发明方便实施，操作简单。

主权项

一种改善闪存存储器外围电路区栅氧化层可靠性的方法，其特征在于，所述方法至少包括以下步骤：1)提供一半导体衬底，通过隔离结构将所述半导体衬底隔离出存储单元区和外围电路区；2)在所述半导体衬底上依次形成隧穿氧化层、浮栅及介质层，其中，形成所述隧穿氧化层之后对其进行氮化处理，此时，于所述隧穿氧化层接触的半导体衬底顶部形成有含氮区域；3)光刻、刻蚀位于外围电路区的介质层、浮栅及隧穿氧化层，直至暴露出外围电路区的半导体衬底表面并保留步骤2)中存储单元区中形成的结构；4)通入气体，对外围电路区的半导体衬底顶部的含氮区域进行氧化处理以将该含氮区域转化为氧化层；5)保留步骤2)中存储单元区中形成的结构，去除位于外围电路区半导体衬底顶部的氧化层以暴露出未含氮的半导体衬底；6)在所述未含氮的半导体衬底表面上形成栅氧化层。