[发明专利]等离子体处理装置有效
| 申请号： | 201310138892.7 | 申请日： | 2013-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN103227091A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 倪图强;梁洁;罗伟义 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种等离子体处理装置，包括反应腔室及第一射频功率源和第二射频功率源，其中反应腔室包括相互平行设置的上电极和下电极，上电极设置在气体喷淋头内，下电极设于静电夹盘内；第一射频功率源用以在上下电极之间形成垂直方向的射频电场以产生等离子体，第二射频功率源用以调整等离子体的能量；所述反应腔室还包括环形绝缘体，环绕静电夹盘和/或静电夹盘的上方区域；以及由导线卷绕而成的开口金属环电极，嵌设于环形绝缘体中，所述金属环通有射频电流以产生水平方向的感应电场。本发明能够有效改善反应腔室内等离子体密度分布的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种等离子体处理装置，其中，包括：反应腔室，其包括：用于夹持待处理基片的静电夹盘；用于向所述反应腔室内部输入工艺气体的气体喷淋头；相互平行设置的上电极和下电极，所述上电极设于所述气体喷淋头内，所述下电极设于所述静电夹盘内；以及第一射频功率源和第二射频功率源，通过第一射频匹配器与所述下电极相连，所述第一射频功率源用以提供射频功率在所述上电极和所述下电极之间形成垂直方向的射频电场以激发工艺气体产生等离子体，所述第二射频功率源用以调整所述等离子体的能量，其特征在于：所述反应腔室还包括环形绝缘体，其环绕所述静电夹盘和/或所述静电夹盘的上方区域；以及由导线卷绕而成的开口金属环电极，嵌设于所述环形绝缘体中，所述开口金属环电极通有射频电流以产生水平方向的感应电场。
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