[发明专利]半导体结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体结构及其制造方法，该方法通过在导电互连结构表面沉积一层金属铝，然后对该金属铝层表面进行氧等离子体处理，从而在该层金属铝表面生成一层氧化铝；最后在所述氧化铝表面形成低k介电层NDC。由于导电金属之间具有较好的粘合性，同时NDC层与氧化铝之间也具有良好地粘附性，因此从整体上改善了导电互连结构与NDC层之间的粘附性，提高了半导体器件的良率和可靠性。

主权项

一种半导体结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法至少包括：1)提供一基片，该基片具有第一金属粘附层以及位于该第一金属粘附层表面的第一介电层，然后在该第一介电层上表面依次形成第二介电层、硬掩膜层以及阻挡层；2)利用光刻工艺在所述步骤1)的结构上形成特征图形，根据该特征图形并利用干法刻蚀形成用于互连的特征结构；3)利用导电金属填充所述特征结构并覆盖所述步骤2)中形成的结构，接着利用化学机械研磨工艺对所述导电金属进行平坦化处理，并使填充在所述特征结构中的导电金属表面低于所述第一介电层的上表面以形成凹槽；4)在所述步骤3)形成的结构上依次沉积金属铝、氧化物牺牲层、以及底部抗反射层，利用灰化工艺去除所述凹槽之外的底部抗反射层，同时减薄在所述凹槽中底部抗反射层的厚度；5)以凹槽中底部抗反射层为掩膜，利用干法刻蚀工艺依次除去部分氧化物牺牲层、部分金属铝层、以及阻挡层，最后除去凹槽中的底部抗反射层；6)再次进行干法刻蚀，除去所述硬掩膜层以及凹槽中剩余的氧化物牺牲层，以露出第二介电层以及凹槽中的残留的金属铝层；7)对所述第二介电层和凹槽中的金属铝层进行氧等离子处理，在除去所述第二介电层的同时在所述金属铝表面生成一层氧化铝；经过DHF湿法清洗后，然后在所述第一介电层以及氧化铝表面沉积第二金属粘附层。