[发明专利]通过背面图形化降低MEMS芯片封装应力的方法无效
申请号: | 201310140175.8 | 申请日: | 2013-04-22 |
公开(公告)号: | CN103193198A | 公开(公告)日: | 2013-07-10 |
发明(设计)人: | 华亚平 | 申请(专利权)人: | 安徽北方芯动联科微系统技术有限公司 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00;B81C3/00 |
代理公司: | 蚌埠鼎力专利商标事务所有限公司 34102 | 代理人: | 王琪;白京萍 |
地址: | 233042*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 通过背面图形化降低MEMS芯片封装应力的方法,具体步骤为:在MEMS芯片的背面层上涂敷光刻胶;对光刻胶进行曝光、显影,在背面层上形成光刻胶图形;以光刻胶图形作为蚀刻掩蔽膜对MEMS芯片的背面层进行蚀刻,形成装片柱;在封装管壳的底板上涂抹粘片胶,将带有装片柱的MEMS芯片通过装片柱固定在封装管的壳底板上,固化后将MEMS芯片的压焊块用导线与封装管壳侧面的金属焊块电连接,盖上封装盖板。本发明的方法在降低MEMS芯片与封装管壳的底板水平方向接触面积的同时,增加了装片柱的表面积,保证了MEMS芯片与粘片胶有足够的接触面积,从而在降低封装应力的同时,保证了抗机械冲击力。 | ||
搜索关键词: | 通过 背面 图形 降低 mems 芯片 封装 应力 方法 | ||
【主权项】:
通过背面图形化降低MEMS芯片封装应力的方法,具体步骤为:(1)在MEMS芯片的背面层上涂敷光刻胶;(2)对光刻胶进行曝光、显影,在背面层上形成光刻胶图形;(3)以光刻胶图形作为蚀刻掩蔽膜对MEMS芯片的背面层进行蚀刻,形成装片柱;(4)在封装管壳的底板上涂抹粘片胶,将带有装片柱的MEMS芯片固定在封装管壳的底板上,固化;(5)将MEMS芯片的压焊块用导线与封装管壳侧面的金属焊块电连接,盖上封装盖板。
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