[发明专利]一种射频磁控共溅射制备二次电子发射功能薄膜的方法

摘要

本发明涉及一种射频磁控共溅射制备二次电子发射功能薄膜的方法，属于功能薄膜制备领域。所述方法具体包括清洁真空室、清洗基片、装基片、真空室抽真空、等离子体清洗靶材和二次电子发射薄膜沉积六个步骤。采用所述方法制备的二次电子发射薄膜不但具有高的二次电子发射率，而且具有良好的抗溅射能力。

主权项

一种射频磁控共溅射制备二次电子发射功能薄膜的方法，其特征在于：所述方法步骤如下：（1）清洁真空室：开真空室，将保护靶材不受污染的铝膜放置到靶材正上方，并对真空室进行清洁；所述靶材有两种，分别金属银靶、陶瓷氧化镁靶；所述靶材的纯度为99.99%以上；（2）清洗基片；所述基片为不锈钢基片；（3）装基片：将步骤（2）清洗后的不锈钢基片放入真空室的基片架上，并去除用于保护靶材不受污染的铝膜；（4）真空室抽真空：打开机械泵预抽，真空度抽至1Pa，然后开分子泵，待分子泵运转平稳后开启分子泵的高阀，抽真空至3.0×10‑5Pa，然后加热不锈钢基片至所需温度后保温；（5）等离子体清洗靶材：向真空室通入Ar气，并控制流量使真空室压强为0.3Pa，待Ar气流量稳定，此时Ar气流量为21.7～22.5sccm，开启偏压电源，将电源功率调整为150W，辉光放电产生等离子体，对不锈钢基片进行表面清洗，清洗10～30min后关闭偏压电源；在分别对金属银靶、陶瓷氧化镁靶预溅射10分钟清洗靶材，溅射功率为200W；（6）二次电子发射薄膜沉积：步骤（5）靶材清洗结束后，设定样品台旋转转速在20～50转/每分钟范围内，打开两靶挡板，调整陶瓷氧化镁靶射频源功率在200W～600W范围内，同时，调整金属银靶射频功率在10W～300W范围内，通过记录镀制时间实现厚度控制；关闭两靶的溅射源、关闭气源、停止样品台旋转，结束样品镀制，即得到本发明所述的二次电子发射功能薄膜。