[发明专利]多垂直LED封装结构有效

专利信息
申请号: 201310140303.9 申请日: 2013-04-22
公开(公告)号: CN103972374B 公开(公告)日: 2017-07-21
发明(设计)人: 翁瑞坪;李孝文;张濬智;吴民圣;李信贤 申请(专利权)人: 晶元光电股份有限公司
主分类号: H01L33/62 分类号: H01L33/62;H01L25/075;H01L21/50;H01L21/60
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 代理人: 章社杲,孙征
地址: 中国台湾新*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明涉及一种发光二极管(LED)封装结构。该LED封装结构包括具有衬底和位于衬底上的多个接合焊盘的基座。该LED封装结构包括通过接合焊盘的第一子集与衬底接合的多个p型LED。该LED封装结构包括通过接合焊盘的第二子集与衬底接合的多个n型LED。一些接合焊盘既属于接合焊盘的第一子集又属于接合焊盘的第二子集。p型LED和n型LED被布置成交替对。该LED封装结构包括多个透明且导电的元件,该多个透明且导电的元件均设置在多对p型LED和n型LED中的一对的上方并且与多对p型LED和n型LED中的一对电互连。该LED封装结构包括设置在n型LED和p型LED的上方的一个或多个透镜。本发明还提供了多垂直LED封装结构。
搜索关键词: 垂直 led 封装 结构
【主权项】:
一种发光二极管(LED)封装结构,包括:基座衬底;多个导电焊盘,位于所述基座衬底上;以及多个LED,通过所述多个导电焊盘与所述基座衬底接合,所述多个LED包括以交替方式布置的p型垂直LED和n型垂直LED;其中:所述p型垂直LED和所述n型垂直LED均包括各自的p型掺杂半导体层和n型掺杂半导体层;对于所述p型垂直LED,所述p型掺杂半导体层比所述n型掺杂半导体层更接近所述基座衬底;对于所述n型垂直LED,所述n型掺杂半导体层比所述p型掺杂半导体层更接近所述基座衬底;以及每个所述n型垂直LED更包括:欧姆接触层在所述n型掺杂半导体层和所述基座衬底之间;反射层在所述欧姆接触层和所述基座衬底之间;以及阻挡层在所述反射层和所述基座衬底之间。
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