[发明专利]一种提高长波红外光学薄膜与锗基片附着力的方法无效
| 申请号： | 201310140304.3 | 申请日： | 2013-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN103233198A | 公开（公告）日： | 2013-08-07 |
| 发明（设计）人： | 董茂进;王多书;熊玉卿;张玲;王济洲;李晨;王超;高欢 | 申请（专利权）人： | 兰州空间技术物理研究所 |
| 主分类号： | C23C14/02 | 分类号： | C23C14/02;C23C14/26 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人： | 杨志兵;付雷杰 |
| 地址： | 730000 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高长波红外光学薄膜与锗基片附着力的方法，属于光学薄膜领域。所述方法包括基片的清洗、离子束轰击活化基片、过渡层的镀制、长波红外光学薄膜的镀制几个步骤。所述方法整个过程工艺稳定，重复性好，操作简便，可操作性强。采用所述方法镀制的长波红外光学薄膜与基片附着牢固，能够满足空间光学遥感系统的要求，具有高稳定性和高可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 长波 红外 光学薄膜 锗基片 附着力 方法 | ||
【主权项】：
一种提高长波红外光学薄膜与锗基片附着力的方法，其特征在于：所述方法步骤如下：（1）将锗基片用分析纯的盐酸浸泡10～20min，去离子水冲洗3～5遍，分析纯的丙酮超声清洗10～20min，分析纯的乙醇超声清洗10～20min，然后晾干马上装入基片架中；（2）将基片放入镀膜机中，然后对镀膜机抽真空至3.0～5.0×10‑3Pa，在抽真空的同时开启加热系统，加热至150～180℃，当真空度和温度均达到要求时，使用镀膜机上的霍尔离子源轰击基片，活化基片的表面，具体为：首先打开离子源通氩气，气流量为10～30sccm，再开启阴极电压至100～200V，然后开启阳极电压至50～100V，此时阳极电流为0.5～1.0A；（3）在步骤（2）活化好的锗基片上表面采用电阻蒸发方法镀制一层均匀锗薄膜，锗薄膜厚度为10～30nm；（4）在锗薄膜上表面采用电阻蒸发方法镀制长波红外光学薄膜，所述长波红外光学薄膜的厚度根据实际需要确定。
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