[发明专利]开关管及其制备方法、显示面板有效
| 申请号： | 201310140575.9 | 申请日： | 2013-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN103236441A | 公开（公告）日： | 2013-08-07 |
| 发明（设计）人： | 江政隆;陈柏林 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/51 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市光明新区公*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种开关管及其制备方法、显示面板。开关管包括：栅极电极；覆盖栅极电极的栅极绝缘层；形成于栅极绝缘层上的氧化物半导体层；形成于氧化物半导体层上的第一保护层；与氧化物半导体层电连接的源/漏极电极；以及覆盖源/漏极电极的第二保护层；其中，所述第一保护层的单位体积氢原子含量小于所述栅极绝缘层的单位体积氢原子含量。并且所述栅极绝缘层的单位体积氢原子含量小于所述第二保护层的单位体积氢原子含量。通过上述方式，本发明能够抑制开关管内半导体层的氧原子与外部氢原子结合，提高器件性能和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 开关 及其 制备 方法 显示 面板 | ||
【主权项】：
一种开关管，其特征在于，包括：栅极电极；覆盖所述栅极电极的栅极绝缘层；形成于所述栅极绝缘层上的氧化物半导体层；形成于所述氧化物半导体层上的第一保护层；与所述氧化物半导体层电连接的源/漏极电极；以及覆盖所述源/漏极电极的第二保护层；其中，所述第一保护层的单位体积氢原子含量小于所述栅极绝缘层的单位体积氢原子含量，所述栅极绝缘层的单位体积氢原子含量小于所述第二保护层的单位体积氢原子含量。
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