[发明专利]用于锁相环的相位比较器

摘要

本发明公开了一种用于锁相环的相位比较器，由四级与非门连接成的异或门组成，四级与非门都分别由PMOS和NMOS管连接形成，第一级与非门的PMOS和NMOS管的沟道宽长比分别为第二和三级与非门的PMOS和NMOS管的沟道宽长比的N倍，第二和三级与非门的PMOS和NMOS管的沟道宽长比分别为第四级与非门的PMOS和NMOS管的沟道宽长比的M倍。根据锁相环的工作频率的大小确定M和N值的大小，当锁相环的工作频率提高时，N和M值相应提高，通过提高N值使相位比较器的电流增加、通过提高M值使所述相位比较器的寄生电容减少。本发明具有较高灵敏度，能实现在较高工作频率时候也能准确地检测出相位差，能提高锁相环的性能。

主权项

一种用于锁相环的相位比较器，其特征在于：所述相位比较器为一个由四级与非门连接形成的异或门，第一级与非门的第一输入端连接第一输入信号、第二输入端连接第二输入信号，第二级与非门的第一输入端连接第一输入信号、第二输入端连接所述第一级与非门的输出端，第三级与非门的第一输入端连接第二输入信号、第二输入端连接所述第一级与非门的输出端，第四级与非门的第一输入端连接所述第二级与非门的输出端、所述第四级与非门的第二输入端连接所述第三级与非门的输出端；所述第四级与非门的输出端输出所述相位比较器的输出信号；四级与非门都分别由PMOS晶体管和NMOS晶体管连接形成，所述第二级与非门和所述第三级与非门的PMOS晶体管的沟道宽长比相等、NMOS管的沟道宽长比也相等；所述第一级与非门的PMOS晶体管的沟道宽长比为所述第二级与非门的PMOS晶体管的沟道宽长比的N倍，所述第一级与非门的NMOS晶体管的沟道宽长比为所述第二级与非门的NMOS晶体管的沟道宽长比的N倍，N为大于1的值；所述第二级与非门的PMOS晶体管的沟道宽长比为所述第四级与非门的PMOS晶体管的沟道宽长比的M倍，所述第二级与非门的NMOS晶体管的沟道宽长比为所述第四级与非门的NMOS晶体管的沟道宽长比的M倍，M为大于1的值；根据所述锁相环的工作频率的大小确定M和N值的大小，当所述锁相环的工作频率提高时，N和M值相应提高，通过提高N值使所述相位比较器的电流增加、通过提高M值使所述相位比较器的寄生电容减少；M和N的设置标准为要求使得所述相位比较器的输出信号中的误差电压到达高电平的水平，所述误差电压为所述第一输入信号和所述第二输入信号的下降沿之间的相位差所产生的相位比较电压。