[发明专利]基于金属纳米粒子掺杂三端子并联聚合物太阳能电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201310140724.1 申请日: 2013-04-23
公开(公告)号: CN103227287A 公开(公告)日: 2013-07-31
发明(设计)人: 郭文滨;武健;阮圣平;沈亮;刘彩霞;董玮;张歆东;周敬然 申请(专利权)人: 吉林大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48
代理公司: 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 代理人: 张景林;刘喜生
地址: 130012 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 基于金属纳米粒子掺杂三端子并联聚合物太阳能电池及其制备方法,属于聚合物太阳能电池技术领域。依次由作为衬底和阴极的ITO导电玻璃、TiO2电子传输层、PSBTBT:PC70BM:NPs活性层、MoO3空穴传输层、Ag阳极、WO3空穴传输层、P3HT:PC70BM:NPs活性层、LiF电子传输层和Al阴极组成,P3HT:PC70BM:NPs活性层的质量比为1:1:0.02~0.05,其中NPs代表Au或Ag纳米粒子。本发明通过将活性层吸收光范围互补的两个子电池组成并联结构,并且在每个子电池的活性层中掺杂金属纳米粒子,利用金属纳米粒子附近的等离子增强效应提高太阳能电池对于太阳光的利用率,从而提高太阳能电池的性能。
搜索关键词: 基于 金属 纳米 粒子 掺杂 端子 并联 聚合物 太阳能电池 及其 制备 方法
【主权项】:
一种基于金属纳米粒子掺杂的三端子并联聚合物太阳能电池,其特征在于:从下至上,依次由作为衬底和阴极的ITO导电玻璃、TiO2电子传输层、PSBTBT:PC70BM:NPs活性层、MoO3空穴传输层、Ag阳极、WO3空穴传输层、P3HT:PC70BM:NPs活性层、LiF电子传输层和Al阴极组成,P3HT:PC70BM:NPs活性层的质量比为1:1:0.02~0.05,其中NPs代表Au或Ag纳米粒子。
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