[发明专利]一种具有二次电子发射功能的膜系制备方法

摘要

本发明公开了一种具有二次电子发射功能的膜系制备方法，属于功能薄膜制备领域。所述方法包括如下步骤：（1）清洁真空室，（2）清洗基片，（3）装基片，（4）真空室抽真空，（5）等离子体清洗靶材，（6）二次电子发射薄膜沉积。所述方法利用沉积多层复合功能薄膜的制备方法代替传统氧化工艺，所制备的薄膜致密性好、附着力强及二次电子发射率高等优点。

主权项

一种具有二次电子发射功能的膜系制备方法，其特征在于：所述方法步骤如下：（1）清洁真空室：开真空室，将保护靶材不受污染的铝膜放置到靶材正上方，清除真空室内脱落的膜层及空气中的污染物，然后用脱脂纱布蘸易挥发的有机溶液擦拭干净真空室内壁；所述靶材有三种，分别为金属钛靶、金属银靶、陶瓷氧化镁靶；所述靶材的纯度为99.99%以上；（2）清洗基片：将不锈钢基片放入干净器皿中，用水冲洗干净，再将不锈钢基片分别用分析纯丙酮及分析纯酒精各超声波清洗10～30min，然后用分析纯易挥发的有机溶液冲洗干净，用无屑擦拭纸擦拭至表面无划痕、擦痕和液滴残留痕迹；（3）装基片：将步骤（2）清洗后的不锈钢基片放入真空室的基片架上，并去除用于保护靶材不受污染的铝膜；（4）真空室抽真空：打开机械泵预抽，真空度抽至1Pa，然后开分子泵，待分子泵运转平稳后开启分子泵的高阀，抽真空至3.0×10‑5Pa，然后加热不锈钢基片至所需温度后保温；（5）等离子体清洗靶材：向真空室通入Ar气，并控制流量使真空室压强为0.3Pa，待Ar气流量稳定，此时Ar气流量为21.7～22.5sccm，开启偏压电源，将电源功率调整为150W，辉光放电产生等离子体，对不锈钢基片进行表面清洗，清洗10～30min后关闭偏压电源；在分别对金属钛靶、金属银靶、陶瓷氧化镁靶预溅射10分钟清洗靶材，溅射功率为200W；（6）二次电子发射薄膜沉积：步骤（5）靶材清洗结束后，先开启金属钛靶挡板，沉积钛薄膜，沉积功率为100～400W，沉积时间为5～9min；关闭金属钛靶挡板，再开启金属银靶挡板，沉积银薄膜，沉积功率为100～400W，沉积时间为25～45min，关闭金属银靶挡板；打开金属银和陶瓷氧化镁两靶挡板，调整陶瓷氧化镁靶射频源功率在200W～600W范围内，同时，调整金属银靶射频功率在10W～300W范围内，沉积时间为30～90min，关闭金属银和陶瓷氧化镁两靶挡板；开启陶瓷氧化镁靶挡板，沉积氧化镁薄膜，沉积功率为200～500W，沉积时间为30～90min，关闭陶瓷氧化镁挡板，关闭气源，结束样品镀制，即得到由下到上分别为金属钛膜、金属银膜、氧化镁和金属银的混合膜、纯氧化镁膜的二次电子发射功能的膜系。