[发明专利]一种制备半导体反应腔室部件的方法及部件在审
| 申请号： | 201310140944.4 | 申请日： | 2013-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN104108948A | 公开（公告）日： | 2014-10-22 |
| 发明（设计）人： | 张力;贺小明;蒲远;倪图强;彭帆 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C04B38/06 | 分类号： | C04B38/06 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备半导体反应腔室部件的方法和采用该方法制备的半导体反应腔室部件，首先采用烧结的方法制备多孔陶瓷预制体，所述多孔陶瓷预制体材料为耐等离子体腐蚀的氧化铝、氧化钇或碳化硅中的一种或几种混合；烧结得到的多孔陶瓷预制体经过切割打磨等机械加工方法制作成需要的半导体反应腔室部件形状。所述的半导体反应腔室部件可以为气体喷淋头或约束环等，得到的气体喷淋头的孔隙度可达95%，大大提高了气体喷淋头的出气口密度，使得气体通过气体喷淋头进入反应腔内的均匀度增加，基片刻蚀更加均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 半导体 反应 部件 方法 | ||
【主权项】：
一种制备半导体反应腔室部件的方法，其特征在于：所述方法包括下列步骤：采用烧结的方法制备多孔陶瓷预制体，所述多孔陶瓷预制体材料为氧化铝、氧化钇及碳化硅中的一种或几种混合，所述多孔陶瓷预制体孔隙为开口孔隙，孔隙度为50%‑95%；将所述多孔预制体机械加工为所述半导体反应腔室部件的形状。
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