[发明专利]形成漏斗状喷嘴

摘要

本发明涉及形成漏斗状喷嘴，具体提供了用于在半导体衬底中制造漏斗状喷嘴的技术。漏斗状凹部包括直壁底部和弯曲顶部，所述弯曲顶部具有朝向所述直壁底部逐渐会聚且平滑地接合到所述直壁底部的弯曲侧壁，并且所述弯曲顶部所包围的体积显著大于所述直壁底部所包围的体积。

主权项

一种用于制造喷射流体滴的喷嘴的工艺，所述工艺包括：在半导体衬底的顶表面上形成构图的光刻胶层，所述构图的光刻胶层包括开口，所述开口具有平滑地接合到所述构图的光刻胶层的暴露顶表面的弯曲侧表面；通过所述构图的光刻胶层中的所述开口，对所述半导体衬底的所述顶表面进行蚀刻以形成直壁凹部，所述直壁凹部具有基本上垂直于所述半导体衬底的所述顶表面的侧表面；以及在形成所述直壁凹部之后，对所述构图的光刻胶层和所述半导体衬底进行干法蚀刻，其中所述干法蚀刻沿所述构图的光刻胶层的表面轮廓逐渐减薄所述构图的光刻胶层，同时将所述直壁凹部变形成漏斗状凹部，所述漏斗状凹部包括直壁底部和弯曲顶部，所述弯曲顶部具有朝向所述直壁底部逐渐会聚且平滑地接合到所述直壁底部的弯曲侧壁，并且所述弯曲顶部所包围的体积显著大于所述直壁底部所包围的体积。