[发明专利]一种基于飞秒激光处理和湿法刻蚀的硅微结构加工方法有效
| 申请号： | 201310141035.2 | 申请日： | 2013-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN103232023A | 公开（公告）日： | 2013-08-07 |
| 发明（设计）人： | 陈涛;司金海;马云灿;潘安;陈烽;侯洵 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于飞秒激光处理和湿法刻蚀的硅微结构加工方法：在含氧气体氛围中利用飞秒激光扫描单晶硅基片，在扫描区诱导硅产生折射率变化，再通过氢氟酸湿法刻蚀去除折射率变化区形成硅微结构。本发明的方法工艺简单，与现有技术相比，其不需要使用掩模板定义微结构的分布图样；相对于通常的湿法和干法刻蚀，腐蚀选择性好，刻蚀区域完全由飞秒激光处理区域决定，不存在侧向钻蚀；在深硅槽的加工中可以获得深宽比高、深度大的硅槽。本发明的方法可应用于微机械电子系统。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 激光 处理 湿法 刻蚀 微结构 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种基于飞秒激光处理和湿法刻蚀的硅微结构加工方法，其特征在于：在含氧气体氛围中利用飞秒激光扫描单晶硅基片，在扫描区诱导硅产生折射率变化，再通过氢氟酸湿法刻蚀去除折射率变化区在硅表面形成微结构。
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