[发明专利]一种用于太阳电池增效的等离子体激源的制备方法有效
| 申请号： | 201310141060.0 | 申请日： | 2013-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN103400883A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 沃尔夫冈法赫纳;周浪;黄海宾 | 申请（专利权）人： | 南昌大学 |
| 主分类号： | H01L31/052 | 分类号： | H01L31/052;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 | 代理人： | 施秀瑾 |
| 地址： | 330031 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 一种用于太阳电池增效的等离子体激源的制备方法，其特征是：（1）以3～7层线径为0.02～0.04mm、线隙为0.03～0.05的筛网遮挡太阳电池前表面，以真空蒸发方法向太阳电池前表面沉积金属，使各个网孔下都得到一层0.5～2.5nm厚的金属薄膜岛；（2）然后在真空环境中于100～500℃下进行退火。采用本发明方法可制备出均匀分布于表面的金属纳米颗粒；将其应用于玻璃表面作为示范，能够明显减少该表面对光的反射率，提高光的透射率；将其应用于太阳电池前表面，使电池能量转换效率相对提高了5％。由于本发明方法制备过程不涉及高温，所以不会产生对半导体的金属污染。该方法简单易行，适合于工业生产应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 太阳电池 增效 等离子体 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于太阳电池增效的等离子体激源的制备方法，其特征是：（1）以3～7层线径为0.02~0.04 mm、线隙为0.03～0.05的筛网遮挡太阳电池前表面，以真空蒸发方法向太阳电池前表面沉积金属，使各个网孔下都得到一层0.5～2.5 nm厚的金属薄膜岛；（2）然后在真空环境中于100～500 ℃下进行退火；所述的金属为熔点在100 ℃以上的各种金属。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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