[发明专利]一种三材料异质栅结构的石墨烯纳米条带场效应管无效
| 申请号： | 201310141602.4 | 申请日： | 2013-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN103258858A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 王伟;夏春萍;肖广然;杨晓 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/49;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 叶连生 |
| 地址： | 210003 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种三材料异质栅结构的石墨烯纳米条带场效应管。该场效应管的导电沟道（1）、源区（2）和漏区（3）均采用石墨烯纳米条带材料制作，在所述的导电沟道（1）、源区（2）和漏区（3）外，采用原子沉积等方法生成一层栅极氧化层（4），在栅极氧化层（4）外再沉淀一层金属电极，作为三材料异质栅结构的石墨烯纳米条带场效应管的栅极（G），所述的栅极（G）采用三种不同功函数的导电金属制作，形成三材料异质栅结构的石墨烯纳米条带场效应管的异质栅。当三种材料的功函数从源极向漏极逐步减小，或是中间功函数最大，靠漏极一侧功函数最小时，该种结构能有效的改善性能，具有更低的泄漏电流，更高的电流开关比，更能抑制漏致势垒降低(DIBL)效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 材料 异质栅 结构 石墨 纳米 条带 场效应 | ||
【主权项】：
一种三材料异质栅结构的石墨烯纳米条带场效应管，其特征在于该场效应管包括：导电沟道（1）、源区（2）、漏区（3）、栅极氧化层（4）、源极（S）、漏极（D）、栅极（G）；所述的导电沟道（1）、源区（2）和漏区（3）采用一本征半导体石墨烯纳米条带，其最中间部分作为三材料异质栅结构的石墨烯纳米条带场效应管的导电沟道（1），对本征半导体石墨烯纳米条带的两端采用分子或金属离子进行N型重掺杂后，分别作为三材料异质栅结构的石墨烯纳米条带场效应管的源区（2）、漏区（3）；在所述的导电沟道（1）、源区（2）和漏区（3）外，采用原子沉积等方法生成一层栅极氧化层（4），在栅极氧化层（4）外再沉淀一层金属电极，作为三材料异质栅结构的石墨烯纳米条带场效应管的栅极（G），所述的栅极（G）采用三种不同功函数的导电金属制作，形成三材料异质栅结构的石墨烯纳米条带场效应管的异质栅；在位于源区（2）和漏区（3）之上的栅极氧化层（4）上分别刻蚀一源极引线孔和漏极引线孔，在该源极引线孔内制备所述的源极（S），在漏极引线孔内制备所述的漏极（D）。
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