[发明专利]半导体集成电路制造方法有效
| 申请号： | 201310141616.6 | 申请日： | 2013-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN103943552B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 刘文俊;陈建安;李亚莲;苏鸿文;蔡明兴;章勋明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造半导体集成电路(IC)的方法。该方法包括提供衬底。在衬底上形成图案化粘合层。在图案化粘合层上沉积金属层。应用高温热工艺以聚结金属层，从而形成自形成金属部件(SFMF)，并且在SFMF之间沉积介电层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体集成电路(IC)的方法，所述方法包括：提供衬底；在所述衬底的上方形成图案化粘合层；在所述图案化粘合层和所述衬底的上方沉积金属层；应用热工艺以在所述衬底的不存在所述图案化粘合层的区域的上方的所述金属层中形成空隙，并在所述衬底的具有所述图案化粘合层的区域上方聚结所述金属层，从而在所述图案化粘合层的上方形成自成型金属部件(SFMF)，其中，所述自成型金属部件的顶部具有不规则聚结面；以及在所述自成型金属部件的上方沉积介电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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