[发明专利]半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201310142037.3 | 申请日： | 2013-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN103681607B | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 沈一权;俊谟具;P.C.马里穆图;林耀剑;林诗轩 | 申请（专利权）人： | 新科金朋有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马丽娜;刘春元 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体器件及其制作方法。一种半导体器件，具有包括基底和从基底延伸的多个导电柱的衬底。该衬底可以是晶片形状、面板、或已单体化的形式。导电柱可以具有圆形、矩形、锥形、或中间变窄的形状。半导体管芯通过基底中的开孔被设置在导电柱之间。半导体管芯在导电柱上面延伸或者被设置在导电柱的下面。密封剂沉积在半导体管芯上并且围绕导电柱。基底和密封剂的一部分被去除以电隔离导电柱。在半导体管芯、密封剂、和导电柱上形成互连结构。在半导体管芯、密封剂、和导电柱上形成绝缘层。半导体封装设置在半导体管芯上并电连接到导电柱。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作半导体器件的方法，包括：提供包括基底和从基底延伸的多个导电柱的衬底，其中衬底的基底包括通过基底的开孔；在衬底的导电柱位于衬底的基底与载体之间的情况下将衬底安装到所述载体上；在将衬底安装到所述载体上之后，通过基底中的开孔设置半导体管芯；在半导体管芯上和导电柱周围沉积密封剂；以及除去基底以电隔离所述导电柱。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新科金朋有限公司，未经新科金朋有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310142037.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
