[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310142181.7 | 申请日： | 2013-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN104112667B | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 殷华湘;陈率;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，包括：多个鳍片，位于衬底上且沿第一方向延伸；浅沟槽隔离，位于多个鳍片之间；穿通阻挡层，位于鳍片与浅沟槽隔离顶部之间的界面处。依照本发明的半导体器件及其制造方法，在鳍片上利用重掺杂牺牲隔离层而在鳍片底部通过扩散形成了均匀、陡峭的穿通阻挡层，有效抑制了寄生沟道效应和沟道穿通效应并且简化了工艺，从而提高了器件可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍片 半导体器件 浅沟槽隔离 阻挡层 穿通 制造 器件可靠性 方向延伸 沟道穿通 寄生沟道 有效抑制 隔离层 界面处 重掺杂 衬底 陡峭 扩散 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍片和沟槽；在沟槽中形成浅沟槽隔离；在鳍片侧面的浅沟槽隔离顶部上形成掺杂层，掺杂层中的杂质包括N、O及其组合；退火，使得掺杂层中杂质向鳍片与浅沟槽隔离顶部之间的界面处扩散，加热反应形成绝缘介质的穿通阻挡层以完全电隔离绝缘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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