[发明专利]纯氮气环境下的铜线键合方法无效
| 申请号： | 201310142393.5 | 申请日： | 2013-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN103199059A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 王波 | 申请（专利权）人： | 山东泰吉星电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 济南日新专利代理事务所 37224 | 代理人： | 谢省法 |
| 地址： | 262200 山东省潍坊市诸*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纯氮气环境下的铜线键合方法，用于将铜线键合在第一焊点和第二焊点之间，包括步骤一、用高压电火花将铜线一端熔成第一焊球，通过超声键合将第一焊球在纯氮气环境中键合于第一焊点上，完成铜线与第一焊点的键合；步骤二、用高压电火花将所述铜线另一端熔成第二焊球，通过超声键合将第二焊球在纯氮气环境中键合于第二焊点上，完成铜线与第二焊点的键合；铜线两端点分别熔成焊球，使铜线与芯片之间的键合点接触面积大并且极为牢固，避免了楔形键合点接触面积小且必须使用氢气进行还原的弊端；键合在纯氮气环境下进行，杜绝了传统铜线键合在氮氢混合气体条件下进行引起爆鸣声及爆炸现象，使铜线键合工艺更加安全。 | ||
| 搜索关键词： | 氮气 环境 铜线 方法 | ||
【主权项】：
纯氮气环境下的铜线键合方法，用于将铜线键合在第一焊点和第二焊点之间，其特征在于：包括以下步骤，步骤一、用高压电火花将铜线一端熔成第一焊球，通过超声键合将所述第一焊球在纯氮气环境中键合于所述第一焊点上，完成所述铜线与所述第一焊点的键合；步骤二、用高压电火花将所述铜线另一端熔成第二焊球，通过超声键合将所述第二焊球在纯氮气环境中键合于所述第二焊点上，完成所述铜线与所述第二焊点的键合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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