[发明专利]在半导体硅片上淀积与掺杂Pt的工艺方法有效
| 申请号： | 201310142670.2 | 申请日： | 2013-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN103227106A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 朱瑞;吕伟;丁军;陈晓伦;冯东明;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人： | 江阴新顺微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/225 | 分类号： | H01L21/225 |
| 代理公司： | 江阴市同盛专利事务所(普通合伙) 32210 | 代理人： | 唐纫兰;曾丹 |
| 地址： | 214434 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在半导体硅片上淀积与掺杂Pt的工艺方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：步骤一：将氯铂酸与异丙醇按照1g：10—100ml比例进行混合，混合后在常温下静置大于24小时；步骤二：将静置后的混合溶液用毛笔涂覆在硅片表面上，硅片涂覆后在常温下放置大于2小时；步骤三：将上述硅片放入通有N2的高温扩散炉内进行900-1000℃高温处理大于15分钟。本发明改变了传统的物理方式淀积Pt工艺，将化学方式淀积Pt工艺应用到Pt掺杂工艺当中，不仅降低了生产成本，也减小了生产投入资金，利于大规模生产制造。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 硅片 上淀积 掺杂 pt 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种在半导体硅片上淀积与掺杂Pt的工艺方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：步骤一：将氯铂酸与异丙醇按照1g：10—100ml比例进行混合，混合后在常温下静置大于24小时；步骤二：将静置后的混合溶液用毛笔涂覆在硅片表面上，硅片涂覆后在常温下放置，放置时间大于2小时； 步骤三：将上述硅片放入通有N2的高温扩散炉内进行900‑1000℃高温处理，处理时间大于15分钟。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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