[发明专利]半导体存储器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：多个辅助图案，所述多个辅助图案形成在半导体衬底之上；多个栅极线图案，所述多个栅极线图案彼此平行地布置在所述多个辅助图案之间的半导体衬底之上；以及气隙，所述气隙形成在所述多个栅极线图案之间、以及所述多个栅极线图案中的每个栅极线图案与所述多个辅助图案中的每个辅助图案之间。

主权项

1.一种半导体存储器件，包括：第一辅助图案和第二辅助图案，所述第一辅助图案和所述第二辅助图案形成在半导体衬底之上；多个栅极线图案，所述多个栅极线图案彼此平行地布置在半导体衬底之上位于所述第一辅助图案和所述第二辅助图案之间，其中所述多个栅极线图案中的每个栅极线图案在从所述第一辅助图案到所述第二辅助图案的方向上延伸；以及气隙，所述气隙形成在所述多个栅极线图案之间以及形成在所述多个栅极线图案中的每个栅极线图案与所述第一辅助图案和所述第二辅助图案中的每个辅助图案之间。