[发明专利]叠层太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201310142882.0 | 申请日: | 2013-04-22 |
公开(公告)号: | CN103219429A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 刘石勇;牛新伟;杨德仁;仇展炜 | 申请(专利权)人: | 浙江正泰太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/076 |
代理公司: | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人: | 冯谱 |
地址: | 310053 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明提供了一种叠层太阳能电池的制备方法,该制备方法包括以下步骤:提供衬底,在所述衬底上形成前电极;在所述前电极依次形成第一P型掺杂层、第一本征层以及第一N型掺杂层,构成第一P-I-N结;对所述第一P-I-N结的表面进行等离子体氧化处理,以形成氧化层;在所述氧化层上依次形成第二P型掺杂层、第二本征层以及第二N型掺杂层,构成第二P-I-N结;在所述第二P-I-N结上形成背电极。相应地,本发明还提供了一种叠层太阳能电池结构。本发明可以有效地提高叠层太阳能电池的转换效率,且工艺简单、成本低廉、能够与现有技术中叠层太阳能电池的生产设备相兼容。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种叠层太阳能电池的制备方法,该制备方法包括以下步骤:提供衬底(100),在所述衬底(100)上形成前电极(110);在所述前电极(110)上依次形成第一P型掺杂层(120a)、第一本征层(120b)以及第一N型掺杂层(120c),构成第一P‑I‑N结(120);对所述第一P‑I‑N结(120)的表面进行等离子体氧化处理,形成氧化层(130);在所述氧化层(130)上依次形成第二P型掺杂层(140a)、第二本征层(140b)以及第二N型掺杂层(140c),构成第二P‑I‑N结(140);在所述第二P‑I‑N结(140)上形成背电极(150)。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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