[发明专利]一种台平面肖特基势垒二极管及其制备方法无效
| 申请号： | 201310142929.3 | 申请日： | 2013-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN103199120A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 杨忠武 | 申请（专利权）人： | 上海安微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201102 上海市徐汇*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明的主要目的为提供一种台平面肖特基势垒二极管及其制备方法，此方法采用台平面结构保护终端，提高了击穿电压，并可达到良好的低漏电效果。本发明采用台平面终端保护，用聚酰亚胺来保护台面，即达到高压效果，又保证ESD等反向击穿特性，并提高低漏电效果。本发明可得到高效率的肖特基势垒二极管，与传统二极管结构相比，本发明二极管的应用范围更为广泛。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平面 肖特基势垒二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种肖特基势垒二极管，其结构包括：以N或P型半导体为基片，在上面形成N‑或P‑外延层，在外延层上形成势垒层，再形成金属阳极，边缘造型设置扩散保护环，并配合台面结构，以聚酰亚胺进行台面保护。
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