[发明专利]浅沟道隔离区内的空洞检测方法有效
| 申请号： | 201310143044.5 | 申请日： | 2013-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN104112685B | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 吕淑瑞 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种浅沟道隔离区内的空洞检测方法，其检测划片槽内最小线宽小于晶片内最小线宽的划片槽图形的浅沟道隔离区，通过判断划片槽图形的浅沟道隔离区内是否存在空洞来判断晶片内管芯区域图形的浅沟道隔离区是否存在空洞。由于较小尺寸图形的浅沟道隔离区更容易出现空洞且更容易显露出来，因此通过检测较小尺寸划片槽图形的浅沟道隔离区内是否有空洞能够较早的检测出晶圆的晶片内的空洞，从而缩短检测周期，减小设备产能与原材料的浪费。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 隔离 区内 空洞 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种浅沟道隔离区内的空洞检测方法，其特征在于，包括如下步骤：准备好经过浅沟道隔离区形成工艺处理后的晶圆，选择晶圆上划片槽内划片槽图形作为待检测图形，所述待检测图形为晶圆上划片槽内划片槽图形的最小线宽小于晶片内管芯区域图形的最小线宽的划片槽图形，检测所述待检测图形的浅沟道隔离区内是否存在空洞，如果检测到待检测图形的浅沟道隔离区内存在空洞则认为晶圆晶片内的浅沟道隔离区存在空洞，否则认为晶圆晶片内的浅沟道隔离区不存在空洞。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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