[发明专利]半导体器件制造方法有效
| 申请号： | 201310143349.6 | 申请日： | 2013-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN104124159B | 公开（公告）日： | 2017-11-03 |
| 发明（设计）人： | 秦长亮;殷华湘;李俊峰;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙)11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种FinFET晶体管制造方法，利用各向同性沉积和回刻蚀工艺，可以在虚设栅极的两侧面上形成宽度小于光刻特征尺寸的侧墙；然后，在填充层间介质层之后，去除该侧墙，可以形成具有亚F尺寸的栅极凹槽，进而可以在栅极凹槽中形成具有亚F尺寸的栅极线条。本发明在对光刻精度要求不高的情况下，即可实现亚F尺寸栅极线条的形成，同时，相对于现有的亚F尺寸线条形成工艺，本发明的工艺流程简单，可靠性和可控性高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件制造方法，用于制造FinFET器件，其特征在于，包括如下步骤：提供衬底，在所述衬底上形成鳍片，以及位于相邻所述鳍片之间的隔离结构；形成虚设栅极堆栈；在所述虚设栅极堆栈的侧面上形成第一侧墙；去除所述虚设栅极堆栈；形成FinFET的源漏区域；全面性沉积层间介质层，所述层间介质层完全覆盖所述第一侧墙；平坦化所述层间介质层，暴露出所述第一侧墙的顶面；去除所述第一侧墙，形成栅极凹槽；在所述栅极凹槽中形成栅极堆栈。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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