[发明专利]一种连续能谱电子源的制造装置无效
| 申请号： | 201310145194.X | 申请日： | 2013-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN103226986A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 汤道坦;李得天;杨生胜;秦晓刚;李存惠;柳青 | 申请（专利权）人： | 兰州空间技术物理研究所 |
| 主分类号： | G21K1/10 | 分类号： | G21K1/10 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人： | 杨志兵;李爱英 |
| 地址： | 730000 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种连续能谱电子源的制造装置，属于空间应用技术领域。所述装置为在电子枪下施加一个电子束散射薄膜，所述薄膜为一面镀有铝层，另一面镀有同心银环的Kapton薄膜；实际使用时，将装有所述电子束散射薄膜的铝盘和电子枪安装在真空室内，通过导线将铝盘接地；给真空室抽真空至10-4Pa，开启电子枪，使电子枪发射单能电子束，所述单能电子束穿过电子束散射薄膜后，得到具有连续能谱的电子束。能够比较真实的模拟空间电子环境，适用于卫星表面充放电实验的使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 连续 电子 制造 装置 | ||
【主权项】：
一种连续能谱电子源的制造装置，其特征在于：所述装置为在电子枪下施加一个圆形的电子束散射薄膜，薄膜一面镀有同心银环（8），另一面镀有铝层，电子枪发射端与薄膜镀有同心银环（8）的一面相对，所述薄膜为Kapton薄膜（9）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于兰州空间技术物理研究所，未经兰州空间技术物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310145194.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
