[发明专利]基板处理装置和基板处理方法无效
| 申请号： | 201310145382.2 | 申请日： | 2013-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN103377882A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 八谷洋介;伊藤规宏;河野央;野中纯;野上淳 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供基板处理装置和基板处理方法，在SPM处理中兼顾抗蚀剂膜的去除效率的提高和膜损耗的降低。基板处理方法包括以下工序：通过将加热后的硫酸和过氧化氢水混合而生成充分含有具有抗蚀剂膜剥离效果的卡罗酸的第1温度的SPM液；在生成上述第1温度的SPM液的工序之后，将上述SPM液冷却到具有膜损耗降低效果的第2温度；以及通过使上述第2温度的SPM液接触抗蚀剂膜而去除抗蚀剂膜。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种基板处理方法，其用于将形成在基板的表面的抗蚀剂膜去除，其中，该基板处理方法包括以下工序：通过将过氧化氢水和加热后的硫酸混合而生成充分含有具有抗蚀剂膜剥离效果的卡罗酸的第1温度的SPM液；在生成上述第1温度的SPM液的工序之后，将上述SPM液冷却到具有膜损耗降低效果的第2温度；以及通过使上述第2温度的SPM液接触抗蚀剂膜而去除抗蚀剂膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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