[发明专利]等离子处理装置及其去夹持装置和方法有效

专利信息
申请号: 201310145466.6 申请日: 2013-04-24
公开(公告)号: CN104124129A 公开(公告)日: 2014-10-29
发明(设计)人: 梁洁;万磊 申请(专利权)人: 中微半导体设备(上海)有限公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32;H01L21/683
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人: 王洁
地址: 201201 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种等离子处理装置及其去夹持装置和方法。其中,所述方法包括如下步骤:步骤a.将升举装置连接至放电电路,以去除所述升举装置上的剩余电荷;步骤b.断开所述升举装置和所述放电电路的连接;步骤c.提升升举装置使得所述升举装置接触于所述基片的底面,使得基片上的残余电荷传输至升举装置;步骤d.降低升举装置以断开升举装置和基片背面的连接,并将升举装置再次连接至放电电路,以去除所述升举装置和基片上的残余电荷。本发明能够防止基片和升举装置之间的电弧放电。
搜索关键词: 等离子 处理 装置 及其 夹持 方法
【主权项】:
一种用于在包括静电夹盘的等离子处理装置中将基片去夹持的方法,其中,所述等离子处理装置包括一放置所述基片的基台,在所述基台中包括一静电夹盘,其用于夹持住基片以在所述等离子处理装置中进行制程,其中,所述方法包括如下步骤:步骤a.将升举装置连接至放电电路,以去除所述升举装置上的剩余电荷;步骤b.断开所述升举装置和所述放电电路的连接;步骤c.提升升举装置使得所述升举装置接触于所述基片的底面,使得基片上的残余电荷传输至升举装置;步骤d.降低升举装置以断开升举装置和基片背面的连接,并将升举装置再次连接至放电电路,以去除所述升举装置和基片上的残余电荷。
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