[发明专利]一种等离子体沉积及刻蚀系统有效

专利信息
申请号: 201310145946.2 申请日: 2013-04-24
公开(公告)号: CN103215561A 公开(公告)日: 2013-07-24
发明(设计)人: 李俊杰;顾长志;李云明;田士兵;李林 申请(专利权)人: 中国科学院物理研究所
主分类号: C23C16/44 分类号: C23C16/44;C23C16/50;H01L21/3065;H01L21/205
代理公司: 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 代理人: 王艺
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种等离子体沉积及刻蚀系统,包括:腔体、设置在腔体内的阴极载物台,上栅极,加热装置,其中,还包括用于冷却上栅极的冷却装置;用于为上栅极、加热装置以及加热装置、阴极之间提供偏压的偏压电源。其通过采用多根平行、均匀分布的灯丝作为加热装置,提升了加热效率和加热的稳定性,实现了大面积均匀温度场的分布,为大面积薄膜样品的沉积提供条件;在灯丝的上部设置有上栅极,有利于促进等离子体的形成,降低起辉阈值,通过调节栅极电压,可以通过调节等离子体的浓度从而增加工艺的可控性;在上栅极、阴极和腔体侧壁设置循环水冷系统,保证了装置的稳定性;增加了偏压电源控制系统,保证了系统所需电压的稳定输出,满足刻蚀功能的需要。
搜索关键词: 一种 等离子体 沉积 刻蚀 系统
【主权项】:
一种等离子体沉积及刻蚀系统,包括:腔体、设置在腔体内的阴极载物台,上栅极,加热装置,其特征在于,还包括用于冷却上栅极的冷却装置;用于为上栅极、加热装置以及加热装置、阴极之间提供偏压的偏压电源。
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