[发明专利]一种等离子体沉积及刻蚀系统有效
申请号: | 201310145946.2 | 申请日: | 2013-04-24 |
公开(公告)号: | CN103215561A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 李俊杰;顾长志;李云明;田士兵;李林 | 申请(专利权)人: | 中国科学院物理研究所 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/50;H01L21/3065;H01L21/205 |
代理公司: | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人: | 王艺 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种等离子体沉积及刻蚀系统,包括:腔体、设置在腔体内的阴极载物台,上栅极,加热装置,其中,还包括用于冷却上栅极的冷却装置;用于为上栅极、加热装置以及加热装置、阴极之间提供偏压的偏压电源。其通过采用多根平行、均匀分布的灯丝作为加热装置,提升了加热效率和加热的稳定性,实现了大面积均匀温度场的分布,为大面积薄膜样品的沉积提供条件;在灯丝的上部设置有上栅极,有利于促进等离子体的形成,降低起辉阈值,通过调节栅极电压,可以通过调节等离子体的浓度从而增加工艺的可控性;在上栅极、阴极和腔体侧壁设置循环水冷系统,保证了装置的稳定性;增加了偏压电源控制系统,保证了系统所需电压的稳定输出,满足刻蚀功能的需要。 | ||
搜索关键词: | 一种 等离子体 沉积 刻蚀 系统 | ||
【主权项】:
一种等离子体沉积及刻蚀系统,包括:腔体、设置在腔体内的阴极载物台,上栅极,加热装置,其特征在于,还包括用于冷却上栅极的冷却装置;用于为上栅极、加热装置以及加热装置、阴极之间提供偏压的偏压电源。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的